汤如俊教授与合作者在Advanced Functional Materials杂志上发表关于磁性半导体VS2的研究成果

兼具磁性和半导体物理特性(磁性半导体)的材料在自旋电子器件中具有广泛的应用前景。近日,苏州大学物理科学与技术学院汤如俊教授和合作者针对磁性半导体VS2种子工程调控生长、磁性和电学性能的研究上取得了新的成果。论文提出了一种种子溶液法来改变种子晶体在基片表面的成核和生长模式,精确得到了不同层数的VS2薄膜。论文进一步通过MOKE磁性测试和微型器件证实了不同层数VS2材料具有室温弱铁磁性和半导体性能。本研究拓宽了二维层状磁性材料可调合成的途径,为新型自旋电子和磁电子器件的构建提供了可能。

上述工作以Seed Engineering toward Layer-Regulated Growth of Magnetic Semiconductor VS2为题发表在《Advanced Functional Materials》上。苏州大学研究生王相懿、马亮和王传龙为共同第一作者。汤如俊教授、朱俊桐博士和邹贵付教授为共同通讯作者。该研究获得了国家自然科学基金项目(No. 21971172 and 51772200)的资助。

      全文链接:https://doi.org/10.1002/adfm.202213295

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