氧化物界面工程与类脑应用

报告题目:氧化物界面工程与类脑应用

报告人:葛琛 中国科学院物理研究所

报告时间:20201015日星期四 19:00-21:00

报告地点:线上报告,会议 ID818 103 583

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报告邀请人:游陆

报告摘要:类似于人脑的神经网络型信息处理模式效率明显优于传统架构计算机,开发符合神经形态计算特性的电子器件进而构建大规模人工神经网络,最终实现高性能低功耗的“类脑芯片”,已经成为后摩尔时代信息科技发展的一个重要方向。近几年来,我们围绕极化场(铁电和电解质)调控功能氧化物界面的基本科学问题,探索实现高性能的人工突触器件,取得一些进展。通过电解质极化场控制HO离子在界面迁移实现高性能的突触晶体管,实现了丰富的突触可塑性,对电解质突触晶体管器件的优化设计和性能改善具有重要的参考意义[1-5];制备了目前开关比最大的铁电隧穿结,进一步通过铁电极化畴逐渐翻转实现了高性能铁电氧化物突触器件[6,7]

[1] Adv. Mater. 30, 1801548 (2018).

[2] Adv. Mater. 31, 1900379 (2019).

[3] Adv. Funct. Mater. 29, 1902702 (2019).

[4] Nano Energy 67, 104268 (2020).

[5] Adv. Electron Mater. 1901408 (2020). 

[6] iScience 16, 368 (2019).

[7] Adv. Mater. 32, 1905764 (2020).

报告人简介:葛琛,中国科学院物理研究所副研究员、博士生导师,入选中国科学院青年创新促进会,担任国家重点研发计划课题负责人。2007-2012年在中科院物理所师从杨国桢院士攻读硕博连续学位,留所工作至今。一直从事激光分子束外延方法制备功能氧化物异质结构及新型信息器件研究,在ScienceNature Mater.Adv. Mater.Phys. Rev. B等等期刊上发表SCI论文70余篇。承担国家重点研发计划、国家自然科学基金委、中国科学院等多个项目。长期担任Nat. Commun.Adv. Mater.Nano Lett.等期刊审稿人。

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