基于测量和制程良率控制的一体化光刻技术

报告题目:基于测量和制程良率控制的一体化光刻技术

报告人:宋毅 副教授 ,武汉大学工业科学研究院

报告时间:20201211日(星期五)下午1500

报告地点:物科楼409

报告邀请人:施夏清

报告摘要:在现代的集成电路芯片制造中,光刻机是最核心的关键装备之一,光刻机的性能决定了芯片上器件的最小加工线宽。按照摩尔定律,芯片的集成度每18个月增长一倍,光刻机的加工精度30年来从微米级逐渐缩小到纳米级。在这个过程中,不仅是光刻机的技术在更新换代,逐步从汞灯到准分子激光,再到目前最先进的EUV光刻机,光刻工艺也在不断地改进,各种测量检测方法、制程控制反馈技术被引入到光刻工艺中来。本报告介绍将计算光刻方法、光学纳米尺寸测量技术、制程控制方法和光刻相结合,形成一体化的光刻技术,以提高良率为目标,进行报告。

报告人简介:宋毅博士,武汉大学工业科学研究院副教授,武汉大学微电子学院装备部部长。2011-2019年期间先后工作于比利时的imec微电子研究中心和荷兰的ASML光刻机公司;2019年加入武汉大学,从事光刻相关的研究,主要包括计算光刻、纳米尺寸光学测量、制程良率控制、3D激光直写。

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