半导体科学与脑机融合智能技术研究

报告题目：半导体科学与脑机融合智能技术研究

报告人：陈弘达研究员  中国科学院半导体研究所

报告地点：物理科技楼405室

报告时间：2026年2月2日13:30-14:30

报告摘要：“十三五”期间我国在战略性先进电子材料领域的总体情况，以及在基础研究、核心基础材料、器件研制等多个方面取得的国际瞩目成果；通过专项实施，我国在第三代半导体与LED照明、新型显示、大功率激光材料与器件、高端微电子与光电子材料等电子材料领域实现了跨越式发展，以及对未来激光照明与通信融合应用、脑机融合、神经显示技术等“十四五”期间的重点发展方向。

报告人简介：陈弘达教授是中国科学院半导体研究所研究员，中国科学院大学博士生导师，国家新材料产业发展专家咨询委员会成员，国家科技重大工程“重点新材料研发及应用”实施方案编写专家组成员，“十三五”国家重点研发计划“战略性先进电子材料”实施方案编写专家组和总体专家组组长等，长期从事光电子与微电子学方面的科研工作，目前研究方向为光电子与微电子集成器件、集成电路与系统。在国内外学术刊物和会议上发表论文100余篇，编著《甚短距离光传输技术》、《微电子与光电子集成技术》等专著，申请发明专利28项。