报告题目：能带拓扑理论及拓扑半金属材料预言：Dirac，Weyl和Node-Line半金属
报告人：翁红明教授，中科院物理所
报告地点：物理科技楼405室
报告时间：2026年2月3日10:30-11:30
报告摘要：拓扑绝缘体打开了电子能带拓扑性质研究的大门，揭示了电子能带更深层次的物理意义。能带拓扑理论得以建立，并从绝缘态推广到了金属态。作为固体电子能带计算的主要手段，第一性原理计算在拓扑物态和拓扑材料的研究中起到了至关重要的引领和推动作用，成功预言多种拓扑量子态的真实材料，使得实验研究成为可能，开创了多个新的研究方向。在这个报告中，我将从建立能带拓扑理论出发，讲述如何通过第一性原理计算来预言三维拓扑半金属，包括Dirac半金属Na3Bi，Cd3As2，Weyl半金属HgCr2Se4，TaAs家族和Node-Line半金属等，并介绍相关的实验验证和最新进展。
报告人简介：翁红明，中科院物理所研究员、博士生导师，现任理论室副主任。2005年获南京大学物理学博士学位，曾于日本多所研究机构从事博士后及助理教授工作。2014年和2019年，先后获国家基金委“优青”与“杰青”资助。主要从事计算凝聚态物理研究，致力于第一性原理计算方法开发及拓扑量子态材料预言。在拓扑半金属领域取得了一系列原创性成果，包括理论预言并实验发现了狄拉克半金属、外尔半金属及三重简并点半金属。其中“理论预言并实验发现外尔半金属”的工作入选APS期刊125周年纪念论文集。迄今发表SCI论文170余篇（含Science、Nature及子刊、PRL/PRX等），总引用17000余次，连续多年入选科睿唯安“全球高被引科学家”。曾获仁科芳雄亚洲奖、中国科学院青年科学家奖、中国科学院杰出科技成就奖（集体奖）等，相关成果多次入选“中国科学十大进展”。
