铁电半导体与信息存储器件

报告题目：铁电半导体与信息存储器件

报告人：胡卫进  研究员

报告时间：2026年6月11日14:00

报告地点：物理科技楼105-3室

报告摘要：铁电体具有自发铁电极化，可经由外电场调控。利用这一特性，铁电体在信息存储、能量存储与转化、压电传感和红外探测等领域得到广泛应用。新兴的铁电存储器包括铁电二极管，隧道结，异质结构和铁电晶体管等，它们由电场驱动，具有较低的功耗和较高的数据存储密度。它们的实际应用依赖于它们与现代半导体工业过程的整合，因此研究半导体/铁电界面以及本征铁电半导体具有重要意义。在本报告中，我将介绍我们在该领域的一些工作，包括在铁电遂道结中实现巨大的隧道电阻开关比和光读取，在半导体/铁电异质结中实现室温庞大持续光电导，在多铁性隧道结中实现低电流密度驱动的磁矩翻转，在In2Se3半导体材料中观察到层状二维铁电性与压电性，以及反铁电材料性能调控等。我们将探讨这些新奇界面现象背后的物理机制，以及它们在信息存储、光电探测等方面的可能应用。

报告人简介：胡卫进博士，男，中国籍，中国科学院金属研究所研究员，博士生导师，沈阳材料科学国家研究中心独立PI。2005年本科毕业于哈尔滨工业大学，2011获中国科学院金属研究所博士学位，期间于2008年获国家留学基金资助赴美国宾州州立大学访问。2012-2017年，先后在新加坡南洋理工大学和沙特阿卜杜拉国王科技大学从事博士后研究工作。2017入选科学院百人计划， 2019年入选国家青年人才计划。目前担任中国仪表功能材料学会电子元器件关键材料与技术专业委员会常务委员，Advanced Materials and Devices 编委，2019年度沈阳市领军人才。近年来，在Science Advances、Nature Communications、Advanced Functional Materials等期刊发表论文70余篇，他引7000余次。主要研究兴趣包括铁电铁磁、半导体薄膜及其异质结构的外延生长和制备，铁电薄膜界面丰富的磁、光、电耦合效应，并探索它们在信息存储、能量存储等领域的应用。主要成果包括：(1) 在铁电隧道结中发现铁电光伏效应，并利用应变效应提升隧穿电致电阻100倍；(2) 在铁电/半导体异质结中发现室温巨大持续光电导；(3) 实验制备闪锌矿和铅锌矿型α−In2Se3，证实其为耦合型二维铁电体；(4) 利用铁电自极化畴工程提升铁电二极管性能；(5) 开发超快结晶工艺制备晶圆级弛豫反铁电薄膜电容器以用于电介质储能。